Hersteller Produktnummer:
STP30NM30N
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP30NM30N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 300V 30A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 300 V 30A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12873916
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STP30NM30N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
300 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP30N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
STP30NM30N-DG
497-7521-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTP36N30P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
793
TEILNUMMER
IXTP36N30P-DG
Einheitspreis
2.19
ERSATZART
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