Hersteller Produktnummer:
STW12NM60N
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW12NM60N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12873923
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STW12NM60N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
410mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
960 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW12N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
600
Andere Namen
STW12NM60N-DG
497-7615-5
-497-7615-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
AOK20N60L
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
174
TEILNUMMER
AOK20N60L-DG
Einheitspreis
2.65
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