Hersteller Produktnummer:
STP21NM60ND
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP21NM60ND-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12880400
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STP21NM60ND Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
FDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1800 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP21N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
497-8444-5
1026-STP21NM60ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHP22N60EL-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SIHP22N60EL-GE3-DG
Einheitspreis
1.92
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