Hersteller Produktnummer:
SPP15N60C3XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPP15N60C3XKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
451 Stück Neu Original Auf Lager
12807742
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SPP15N60C3XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 9.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 675µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1660 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3-1
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SPP15N60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SPP15N60C3
SPP15N60C3IN-DG
SP000681050
SPP15N60C3IN
SPP15N60C3X
SPP15N60C3XK
SPP15N60C3XKSA1-DG
448-SPP15N60C3XKSA1
SPP15N60C3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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