Hersteller Produktnummer:
STL12N10F7
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STL12N10F7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 44A POWERFLAT
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 44A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Inventar:
12879448
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STL12N10F7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
STripFET™ F7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13.3mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1820 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
52W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
STL12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
497-18214-6
497-18214-2
497-18214-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TPH12008NH,L1Q
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
5000
TEILNUMMER
TPH12008NH,L1Q-DG
Einheitspreis
0.35
ERSATZART
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