Hersteller Produktnummer:
DMT8012LFG-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT8012LFG-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventar:
12888794
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DMT8012LFG-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1949 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
DMT8012
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMT8012LFG-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
5045
TEILNUMMER
DMT8012LFG-7-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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