Hersteller Produktnummer:
STH260N6F6-2
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STH260N6F6-2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventar:
998 Stück Neu Original Auf Lager
12880808
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STH260N6F6-2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DeepGATE™, STripFET™ VI
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
H2PAK-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STH260
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
STH260N6F62
497-11217-6-DG
497-STH260N6F6-2CT
-1138-STH260N6F6-2TR
497-11217-1-DG
497-11217-2-DG
497-STH260N6F6-2DKR
-1138-STH260N6F6-2DKR
497-11217-6
-1138-STH260N6F6-2CT
497-11217-1
497-11217-2
497-STH260N6F6-2TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN1R7-60BS,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
5180
TEILNUMMER
PSMN1R7-60BS,118-DG
Einheitspreis
1.48
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