Hersteller Produktnummer:
IPB026N06NATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB026N06NATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 25A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
2943 Stück Neu Original Auf Lager
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IPB026N06NATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 75µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4100 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB026
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB026N06NATMA1DKR
IPB026N06NTR-DG
IPB026N06NCT
IPB026N06N-DG
IPB026N06NATMA1TR
IPB026N06NTR
IPB026N06NDKR-DG
SP000962142
IPB026N06NATMA1CT
IPB026N06NCT-DG
IPB026N06NDKR
IPB026N06N
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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