Hersteller Produktnummer:
STFW3N170
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STFW3N170-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1700 V 2.6A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventar:
12873849
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Menge
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STFW3N170 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
PowerMESH™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PF
Paket / Koffer
TO-3P-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
STFW3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-16308-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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