Hersteller Produktnummer:
STN2NE10
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STN2NE10-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventar:
12873852
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STN2NE10 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
STripFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
305 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
STN2N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFL4310TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
23839
TEILNUMMER
IRFL4310TRPBF-DG
Einheitspreis
0.24
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