Hersteller Produktnummer:
STD80N6F6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STD80N6F6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12880773
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STD80N6F6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
DeepGATE™, STripFET™ VI
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7480 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
STD80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
497-13942-2
STD80N6F6-DG
497-13942-1
497-13942-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD90N06S4L06ATMA2
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3430
TEILNUMMER
IPD90N06S4L06ATMA2-DG
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