Hersteller Produktnummer:
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK60S06K3L(T6L1,NQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 60A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventar:
1975 Stück Neu Original Auf Lager
12889946
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TK60S06K3L(T6L1,NQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2900 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
88W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK+
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TK60S06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
TK60S06K3L(T6L1NQ-DG
264-TK60S06K3L(T6L1,NQCT
264-TK60S06K3L(T6L1,NQTR
TK60S06K3LT6L1NQ
264-TK60S06K3L(T6L1,NQDKR
TK60S06K3L(T6L1NQ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRLR3636TRLPBF
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Infineon Technologies
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IRLR3636TRLPBF-DG
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