Hersteller Produktnummer:
STD65N160M9
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STD65N160M9-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
2463 Stück Neu Original Auf Lager
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STD65N160M9 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1239 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
106W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
497-STD65N160M9CT
497-STD65N160M9TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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