Hersteller Produktnummer:
STB36NM60ND
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB36NM60ND-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
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STB36NM60ND Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
FDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2785 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB36
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-13861-6
497-13861-1
497-13861-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB60R099CPAATMA1
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