Hersteller Produktnummer:
BUK7C3R1-80EJ
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
BUK7C3R1-80EJ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V Surface Mount D2PAK-7
Inventar:
12872932
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BUK7C3R1-80EJ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK-7
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
BUK7C3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
934067493118
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2N6661JAN02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
STP4LN80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
STB150N3LH6
MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
