Hersteller Produktnummer:
STB21NM60ND
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB21NM60ND-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
425 Stück Neu Original Auf Lager
12879603
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STB21NM60ND Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
FDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1800 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB21N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-8471-2
-1138-STB21NM60NDCT
497-8471-1
-1138-STB21NM60NDDKR
-1138-STB21NM60NDTR
1026-STB21NM60ND
497-8471-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
R6015ENJTL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
4
TEILNUMMER
R6015ENJTL-DG
Einheitspreis
1.65
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