STB18N55M5
Hersteller Produktnummer:

STB18N55M5

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STB18N55M5-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 550 V 16A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

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STB18N55M5 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™ V
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
550 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
192mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1260 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB18N

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-11227-5-DG
497-11227-5
497-11227-1
497-11227-2

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SPB21N50C3ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2928
TEILNUMMER
SPB21N50C3ATMA1-DG
Einheitspreis
2.00
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
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cr
certification_015
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