Hersteller Produktnummer:
SPB21N50C3ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPB21N50C3ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 560 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
2928 Stück Neu Original Auf Lager
12807539
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EINREICHEN
SPB21N50C3ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
560 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SPB21N50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SPB21N50C3XT
SPB21N50C3INCT
SPB21N50C3INCT-DG
SPB21N50C3INTR-DG
INFINFSPB21N50C3ATMA1
SPB21N50C3ATMA1CT
Q2088067
SPB21N50C3
SPB21N50C3INTR
SPB21N50C3-DG
SPB21N50C3ATMA1DKR
SPB21N50C3INDKR-DG
2156-SPB21N50C3ATMA1
SPB21N50C3ATMA1TR
SPB21N50C3INDKR
SP000013833
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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