Hersteller Produktnummer:
STB12NM50N
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB12NM50N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12877767
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STB12NM50N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
940 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB12N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
-1138-STB12NM50NTR
-1138-STB12NM50NDKR
-1138-STB12NM50NCT
497-5781-1
497-5781-2
STB12NM50N-DG
497-5781-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFS11N50APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
417
TEILNUMMER
IRFS11N50APBF-DG
Einheitspreis
1.22
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