Hersteller Produktnummer:
STB4NK60Z-1
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB4NK60Z-1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12877770
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Menge
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STB4NK60Z-1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
SuperMESH™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
510 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
STB4NK60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
-497-12536-5
497-12536-5
STB4NK60Z-1-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STI24NM60N
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
981
TEILNUMMER
STI24NM60N-DG
Einheitspreis
2.27
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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