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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SCTWA90N65G2V-4
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
SCTWA90N65G2V-4-DG
Beschreibung:
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 119A (Tc) 565W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12948526
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SCTWA90N65G2V-4 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
119A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3380 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
565W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
HiP247™ Long Leads
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SCTWA90
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SCTWA90N65G2V-4
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-SCTWA90N65G2V-4
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
MSC015SMA070B4
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
54
TEILNUMMER
MSC015SMA070B4-DG
Einheitspreis
27.49
ERSATZART
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