Hersteller Produktnummer:
SCTL35N65G2V
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
SCTL35N65G2V-DG
Beschreibung:
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 417W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventar:
12948527
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SCTL35N65G2V Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1370 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerFlat™ (8x8) HV
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
SCTL35
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
497-SCTL35N65G2VTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RX3G07CGNC16
MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB
RV4E031RPHZGTCR1
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
STL66N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
