Hersteller Produktnummer:
SCT012H90G3AG
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
SCT012H90G3AG-DG
Beschreibung:
H2PAK-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 110A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventar:
13269619
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SCT012H90G3AG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15.8mOhm @ 60A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4.2V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
138 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+18V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3880 pF @ 600 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
625W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
H2PAK-7
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-SCT012H90G3AGTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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