Hersteller Produktnummer:
SCT070W120G3-4AG
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
SCT070W120G3-4AG-DG
Beschreibung:
TO247-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 236W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventar:
13269620
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SCT070W120G3-4AG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
87mOhm @ 15A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+18V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
900 pF @ 850 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
236W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q100
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4
Paket / Koffer
TO-247-4
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
600
Andere Namen
497-SCT070W120G3-4AG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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