Hersteller Produktnummer:
VT6J1T2CR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
VT6J1T2CR-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
Inventar:
13525132
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
VT6J1T2CR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Last Time Buy
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15pF @ 10V
Leistung - Max
120mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket für Lieferanten
VMT6
Basis-Produktnummer
VT6J1
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
VT6J1T2CRCT
VT6J1T2CRDKR
VT6J1T2CRTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
EM6J1T2R
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
12037
TEILNUMMER
EM6J1T2R-DG
Einheitspreis
0.11
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SH8M51GZETB
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
TT8J13TCR
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A 8TSST
QS8J12TCR
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
