Hersteller Produktnummer:
SH8M51GZETB
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
SH8M51GZETB-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 100V 3A (Ta), 2.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
4896 Stück Neu Original Auf Lager
13525139
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SH8M51GZETB Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
Leistung - Max
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Basis-Produktnummer
SH8M51
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SH8M51GZETBDKR
SH8M51GZETBCT
SH8M51GZETBTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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