Hersteller Produktnummer:
US6M2GTR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
US6M2GTR-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
Inventar:
13526172
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US6M2GTR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V, 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.5A, 1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
80pF @ 10V, 150pF @ 10V
Leistung - Max
1W
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket für Lieferanten
TUMT6
Basis-Produktnummer
US6M2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
US6M2GDKR
US6M2GCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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