Hersteller Produktnummer:
QH8MA2TCR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
QH8MA2TCR-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 4.5A, 3A 1.25W Surface Mount TSMT8
Inventar:
1528 Stück Neu Original Auf Lager
13526190
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QH8MA2TCR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A, 3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
365pF @ 10V
Leistung - Max
1.25W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT8
Basis-Produktnummer
QH8MA2
Datenblatt & Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
QH8MA2TCRTR
QH8MA2TCRCT
QH8MA2TCRDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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