Hersteller Produktnummer:
UMD2NFHATR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
UMD2NFHATR-DG
Beschreibung:
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Inventar:
21 Stück Neu Original Auf Lager
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UMD2NFHATR Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
22kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
150mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
UMT6
Basis-Produktnummer
UMD2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-UMD2NFHADKR
846-UMD2NFHACT
846-UMD2NFHATR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
PUMD16,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
52169
TEILNUMMER
PUMD16,115-DG
Einheitspreis
0.03
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