Hersteller Produktnummer:
RN1903,LF(CT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN1903,LF(CT-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Inventar:
50 Stück Neu Original Auf Lager
12889728
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RN1903,LF(CT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
22kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
200mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
RN1903
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1903LF(CTCT
RN1903LF(CTDKR
RN1903(T5LFT)DKR-DG
RN1903(T5LFT)DKR
RN1903(T5L,F,T)
RN1903(T5LFT)TR-DG
RN1903(T5LFT)CT-DG
RN1903 (T5L,F,T)
RN1903(T5LFT)CT
RN1903,LF(CB
RN1903T5LFT
RN1903(T5LFT)TR
RN1903LF(CTTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PUMD16,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
52169
TEILNUMMER
PUMD16,115-DG
Einheitspreis
0.03
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