Hersteller Produktnummer:
SH8J65TB1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
SH8J65TB1-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Inventar:
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13526120
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SH8J65TB1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1200pF @ 10V
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Basis-Produktnummer
SH8J65
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SH8J65TB1CT
SH8J65TB1DKR
SH8J65TB1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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