Hersteller Produktnummer:
SCT2750NYTB
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
SCT2750NYTB-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1700 V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268
Inventar:
13526682
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Menge
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SCT2750NYTB Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
975mOhm @ 1.7A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 630µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
275 pF @ 800 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
57W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-268
Paket / Koffer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Basis-Produktnummer
SCT2750
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
400
Andere Namen
SCT2750NYTBDKR
SCT2750NYTBTR
SCT2750NYTBCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
G2R1000MT17J
HERSTELLER
GeneSiC Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
13576
TEILNUMMER
G2R1000MT17J-DG
Einheitspreis
5.86
ERSATZART
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