Hersteller Produktnummer:
RT1E040RPTR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RT1E040RPTR-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 4A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventar:
13525624
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Menge
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RT1E040RPTR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1000 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
550mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSST
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
RT1E040
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RT1E040RPCT
RT1E040RPTRDKR
RT1E040RPTRDKR-ND
RT1E040RPDKR
RT1E040RPTRTR
RT1E040RPTRCT
RT1E040RPTRCT-ND
RT1E040RPTRTR-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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