Hersteller Produktnummer:
R6030JNZ4C13
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6030JNZ4C13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventar:
522 Stück Neu Original Auf Lager
13525632
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
R6030JNZ4C13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
143mOhm @ 15A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
7V @ 5.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2500 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
370W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247G
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
R6030
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RF4E070GNTR
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
RSY160P05TL
MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3
