Hersteller Produktnummer:
RS6P100BHTB1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RS6P100BHTB1-DG
Beschreibung:
NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
2725 Stück Neu Original Auf Lager
12987311
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RS6P100BHTB1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.9mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2880 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSOP
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
846-RS6P100BHTB1CT
846-RS6P100BHTB1TR
846-RS6P100BHTB1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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