Hersteller Produktnummer:
SQJ486EP-T1_BE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQJ486EP-T1_BE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 30A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
9000 Stück Neu Original Auf Lager
12987331
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SQJ486EP-T1_BE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1386 pF @ 37 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
56W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SQJ486EP-T1_BE3DKR
742-SQJ486EP-T1_BE3CT
742-SQJ486EP-T1_BE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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