Hersteller Produktnummer:
GNP1150TCA-ZE2
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
GNP1150TCA-ZE2-DG
Beschreibung:
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount DFN8080AK
Inventar:
3051 Stück Neu Original Auf Lager
13000714
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GNP1150TCA-ZE2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 5.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 1.9A, 5.5V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 18mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.7 nC @ 6 V
Vgs (Max)
+6V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
112 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN8080AK
Paket / Koffer
8-PowerDFN
Basis-Produktnummer
GNP1150
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,500
Andere Namen
846-GNP1150TCA-ZE2CT
846-GNP1150TCA-ZE2TR
846-GNP1150TCA-ZE2DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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