Hersteller Produktnummer:
RQ6E055BNTCR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RQ6E055BNTCR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 5.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventar:
2970 Stück Neu Original Auf Lager
13527431
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RQ6E055BNTCR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
355 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT6 (SC-95)
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
RQ6E055
Datenblatt & Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RQ6E055BNTCRCT
RQ6E055BNTCRTR
RQ6E055BNTCRDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDC855N
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
10062
TEILNUMMER
FDC855N-DG
Einheitspreis
0.22
ERSATZART
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