RS1L180GNTB
Hersteller Produktnummer:

RS1L180GNTB

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

RS1L180GNTB-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP

Inventar:

Angebot Anfrage Online
13527048
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

RS1L180GNTB Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Ta), 68A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3230 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSOP
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
RS1L

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RS1L180GN

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
RS1L180GNTBDKR
RS1L180GNTBTR
RS1L180GNTBCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
rohm-semi

RSQ030P03TR

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

rohm-semi

QS5U26TR

MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5

rohm-semi

RSD160P05TL

MOSFET P-CH 45V 16A CPT3

rohm-semi

RTE002P02TL

MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3