Hersteller Produktnummer:
RTE002P02TL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RTE002P02TL-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Inventar:
13527065
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RTE002P02TL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
50 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
EMT3
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Basis-Produktnummer
RTE002
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RTE002P02TLCT
RTE002P02TLTR
RTE002P02TLDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SSM3J36FS,LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
468389
TEILNUMMER
SSM3J36FS,LF-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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Teilenummer
BSH201,215
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