Hersteller Produktnummer:
RDN050N20FU6
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RDN050N20FU6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 5A TO220FN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN
Inventar:
13527298
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RDN050N20FU6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
720mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
292 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FN
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
RDN050
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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