Hersteller Produktnummer:
RQ3E180AJTB1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RQ3E180AJTB1-DG
Beschreibung:
NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventar:
2944 Stück Neu Original Auf Lager
12976070
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RQ3E180AJTB1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 11mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4290 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSMT (3.2x3)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
RQ3E180
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-RQ3E180AJTB1DKR
846-RQ3E180AJTB1TR
846-RQ3E180AJTB1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RQ3E180AJTB1
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2944
TEILNUMMER
RQ3E180AJTB1-DG
Einheitspreis
0.52
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
RQ3E180AJTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
16588
TEILNUMMER
RQ3E180AJTB-DG
Einheitspreis
0.40
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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