Hersteller Produktnummer:
RP1E090XNTCR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RP1E090XNTCR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Inventar:
13524340
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Menge
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RP1E090XNTCR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
440 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
MPT6
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
RP1E090
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
RP1E090XNTCRCT
RP1E090XNTCRDKR
RP1E090XNTCRTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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