RS1E280BNTB
Hersteller Produktnummer:

RS1E280BNTB

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

RS1E280BNTB-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventar:

35014 Stück Neu Original Auf Lager
13524348
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

RS1E280BNTB Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5100 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSOP
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
RS1E

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RS1E280BNTB HSMT8 TB Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
RS1E280BNTBTR
RS1E280BNTBDKR
RS1E280BNTBCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
rohm-semi

RQ5E035BNTCL

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3

rohm-semi

RP1E090RPTR

MOSFET P-CH 30V 9A MPT6

rohm-semi

RU1C002ZPTCL

MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F

rohm-semi

R5009FNX

MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM