RGTH60TS65GC11
Hersteller Produktnummer:

RGTH60TS65GC11

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

RGTH60TS65GC11-DG

Beschreibung:

IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N
Detaillierte Beschreibung:
IGBT Trench Field Stop 650 V 58 A 197 W Through Hole TO-247N

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RGTH60TS65GC11 Technische Spezifikationen

Kategorie
IGBTs, Einzelne IGBTs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
58 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Leistung - Max
197 W
Energie schalten
-
Eingabetyp
Standard
Gate-Gebühr
58 nC
Td (an/aus) @ 25°C
27ns/105ns
Versuchsbedingung
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-247-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247N
Basis-Produktnummer
RGTH60

Datenblatt & Dokumente

Zuverlässigkeit Dokumente
IGBT-THD Reliability Test
Design-Ressourcen
TO-247N IGBTShingle Inner Structure
Datenblätter
RGTH60TS65 TO-247N IGBT Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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