Hersteller Produktnummer:
RGW60TK65DGVC11
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RGW60TK65DGVC11-DG
Beschreibung:
IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Detaillierte Beschreibung:
IGBT Trench Field Stop 650 V 33 A 72 W Through Hole TO-3PFM
Inventar:
13526071
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Menge
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RGW60TK65DGVC11 Technische Spezifikationen
Kategorie
IGBTs, Einzelne IGBTs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
33 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Leistung - Max
72 W
Energie schalten
480µJ (on), 490µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate-Gebühr
84 nC
Td (an/aus) @ 25°C
37ns/114ns
Versuchsbedingung
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr)
92 ns
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-3PFM, SC-93-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PFM
Basis-Produktnummer
RGW60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
450
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RGW60TK65GVC11
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
110
TEILNUMMER
RGW60TK65GVC11-DG
Einheitspreis
2.49
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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