Hersteller Produktnummer:
R6030JNXC7G
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6030JNXC7G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 95W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
1587 Stück Neu Original Auf Lager
13141581
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
R6030JNXC7G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
143mOhm @ 15A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
7V @ 5.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2500 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
95W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FM
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
R6030
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
846-R6030JNXC7G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SISS63DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
SIHP11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
SIDR668ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
