SQJQ144AE-T1_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQJQ144AE-T1_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQJQ144AE-T1_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 575A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Inventar:

2331 Stück Neu Original Auf Lager
13141987
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SQJQ144AE-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
575A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9020 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
600W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer
PowerPAK® 8 x 8
Basis-Produktnummer
SQJQ144

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
742-SQJQ144AE-T1_GE3TR
742-SQJQ144AE-T1_GE3CT
742-SQJQ144AE-T1_GE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SIHP24N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB

vishay-siliconix

SIHG052N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC

vishay-siliconix

SIR106ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK

unitedsic

UF3C065080B3

MOSFET N-CH 650V 25A TO263