R6030ENZ4C13
Hersteller Produktnummer:

R6030ENZ4C13

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

R6030ENZ4C13-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247

Inventar:

19 Stück Neu Original Auf Lager
12851269
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

R6030ENZ4C13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
305W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
R6030

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
846-R6030ENZ4C13

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

BSS214NWH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3

infineon-technologies

IPD60R600P7SE8228AUMA1

MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3

onsemi

FDC654P

MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6

rohm-semi

R6511ENJTL

MOSFET N-CH 650V 11A LPTS