Hersteller Produktnummer:
R6511ENJTL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6511ENJTL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 124W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventar:
90 Stück Neu Original Auf Lager
12851279
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R6511ENJTL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 320µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
124W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LPTS
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
R6511
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
846-R6511ENJTLTR
846-R6511ENJTLDKR
846-R6511ENJTLCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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